英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級(jí)*有二極管時(shí)實(shí)現(xiàn)不控整流,也可在整流級(jí)中使用晶閘管實(shí)現(xiàn)半控整流。關(guān)鍵特性?高集成度:整流橋、制動(dòng)斬波器和NTC共用一個(gè)封裝,可節(jié)約系統(tǒng)成本?靈活性:可定制的封裝(引腳位置和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可根據(jù)客戶(hù)需求定制)?一體通用:多種拓?fù)浜碗娏鳎?00A-360A)等級(jí)適用于多種應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)平臺(tái)化戰(zhàn)略?功率密度:與TrenchstopIGBT3相比,TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達(dá)到150°C,具有更高的功率密度,適用于緊湊型逆變器設(shè)計(jì)?性能:與標(biāo)準(zhǔn)模塊相比,預(yù)涂熱界面材料(TIM)*可以提高輸出功率并延長(zhǎng)使用壽命?標(biāo)準(zhǔn)化:建立符合RoHS的封裝理念,實(shí)現(xiàn)高可用性?簡(jiǎn)便性:PressFIT用于主端子以及輔助端子,以減少裝配的工作量應(yīng)用領(lǐng)域?電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)?采暖通風(fēng)與空調(diào)(HVAC)?不間斷電源(UPS)100kVA?太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案?工業(yè)加熱和焊接二極管由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯是一個(gè)PN結(jié),在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線(xiàn)。私人模塊哪家好
即檢測(cè)輸入端或直流端的總電流,當(dāng)此電流超過(guò)設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn),***所有IGBT輸入驅(qū)動(dòng)脈沖,使輸出電流降為零。這種過(guò)載過(guò)流保護(hù),一旦動(dòng)作后,要通過(guò)復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。IGBT能夠承受很短時(shí)間的短路電流,能夠承受短路電流的時(shí)間與該IGBT的飽和導(dǎo)通壓降有關(guān),隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長(zhǎng)。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時(shí)間小于5μS,而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時(shí)間可達(dá)15μS,4~5V時(shí)可達(dá)到30μS以上。存在以上的關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低,IGBT的阻抗也降低,短路電流同時(shí)增大,短路時(shí)的功耗隨著電流的平方增大,造成承受短路時(shí)間迅速減小。通常采取的保護(hù)措施有軟關(guān)斷和降柵壓兩種。軟關(guān)斷是指在過(guò)流和短路時(shí),直接關(guān)斷IGBT。但是,軟關(guān)斷抗干擾能力差,一旦檢測(cè)到過(guò)流信號(hào)就關(guān)斷,很容易發(fā)生誤動(dòng)作。為增加保護(hù)電路的抗干擾能力,可在故障信號(hào)和保護(hù)動(dòng)作之間加一延時(shí),不過(guò)故障電流會(huì)在這個(gè)延時(shí)時(shí)間內(nèi)急劇上升,**增加了故障損耗,同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致器件的di/dt過(guò)大。所以往往是保護(hù)電路啟動(dòng)了,器件依然損壞了。降柵壓旨在檢測(cè)到器件過(guò)流時(shí),馬上降低柵壓,但器件仍維持導(dǎo)通。降柵壓后,設(shè)有固定延時(shí),故障電流在這一段時(shí)間內(nèi)被限制在一個(gè)較小的值。廣東哪里有模塊這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動(dòng)器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電(如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用)等應(yīng)用。
全橋逆變電路IGBT模塊的實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)作者:海飛樂(lè)技術(shù)時(shí)間:2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應(yīng)用***,國(guó)內(nèi)外許多廠家的焊機(jī)都采用此主電路結(jié)構(gòu)。全橋式電路的優(yōu)點(diǎn)是輸出功率較大,要求功率開(kāi)關(guān)管耐壓較低,便于選管。在硬開(kāi)關(guān)僑式電路中,IGBT在高壓下導(dǎo)通,在大電流下關(guān)斷,處于強(qiáng)迫開(kāi)關(guān)過(guò)程,功率器件IGBT能否正??煽渴褂闷鹬陵P(guān)重要的作用。驅(qū)動(dòng)電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)IGBT的要求。其性能直接關(guān)系到IGBT的開(kāi)關(guān)速度和功耗、整機(jī)效率和可靠性。隨著開(kāi)關(guān)工作頻率的提高,驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)更為重要。2.硬開(kāi)關(guān)全橋式電路工作過(guò)程分析全橋式逆變主電路由功率開(kāi)關(guān)管IGBT和中頻變壓器等主要元器件組成,如圖1所示快速恢復(fù)二極管VD1~VD4與lGBT1~I(xiàn)GBT4反向并聯(lián)、承受負(fù)載產(chǎn)生的反向電流以保護(hù)IGBT。IGBT1和IGBT4為一組,IGBT2和IGBT3為一組,每組IGBT同時(shí)導(dǎo)通與關(guān)斷,當(dāng)激勵(lì)脈沖信號(hào)輪流驅(qū)動(dòng)IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3時(shí),逆變主電路把直流高壓轉(zhuǎn)換為20kHz的交流電壓送到中頻變壓器,經(jīng)降壓整流濾波輸出。圖1全橋式逆變電路全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問(wèn)題,正常工作情況下。
在西門(mén)康IGBT得到大力發(fā)展之前,功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開(kāi)關(guān)的中低壓場(chǎng)合,晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是,在200V或更高電壓的場(chǎng)合,MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會(huì)迅速增加,使得其功耗大幅增加,存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦裕m然可以得到高耐壓、大容量的元件,但是它要求的驅(qū)動(dòng)電流大,控制電路非常復(fù)雜,而且交換速度不夠快。如曲線(xiàn)OD段稱(chēng)為反向截止區(qū),此時(shí)電流稱(chēng)為反向飽和電流。
雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是:用于交流調(diào)壓或交流電子開(kāi)關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。3、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)很多,可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域,機(jī)電領(lǐng)域,工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者,他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單,可見(jiàn)可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用。更重要的是,可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定,比方說(shuō)用于家電產(chǎn)品中的電子開(kāi)關(guān),可以說(shuō)是鮮少變化的。無(wú)論其他的元件怎么變化,可控硅的變化是不大的,這相對(duì)來(lái)說(shuō),等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng),減少了投資的風(fēng)險(xiǎn)。高性?xún)r(jià)比 ?全程采用X射線(xiàn)100%監(jiān)測(cè)生產(chǎn),保 障產(chǎn)品的高性能和使用壽命。甘肅新能源模塊
構(gòu)成了晶體二極管,如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱(chēng)為正極或陽(yáng)極,N區(qū)的引出的電極稱(chēng)為負(fù)極或陰極。私人模塊哪家好
但過(guò)小會(huì)導(dǎo)致di/dt過(guò)大,產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對(duì)串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求***綜合考慮。柵極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)脈沖的波形也有影響。電阻值過(guò)小時(shí)會(huì)造成脈沖振蕩,過(guò)大時(shí)脈沖的前后沿會(huì)發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率,對(duì)于電流容量大的IGBT器件,應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此,柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小。:⑴光耦驅(qū)動(dòng)電路,光耦驅(qū)動(dòng)電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計(jì)時(shí)被***采用的一種電路,由于線(xiàn)路簡(jiǎn)單,可靠性高,開(kāi)關(guān)性能好,被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅(qū)動(dòng)光耦的型號(hào)很多,所以選用的余地也很大。驅(qū)動(dòng)光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列,夏普的PC系列,惠普的HCLP系列等;⑵**集成塊驅(qū)動(dòng)電路,主要有IR的IR2111,IR2112,IR2113等,三菱的EXB系列,M57959,M57962等。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩個(gè)功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖,實(shí)現(xiàn)電隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器和光電耦合器。:一類(lèi)是低倍數(shù)(~倍)的過(guò)載保護(hù);一類(lèi)是高倍數(shù)(8~10)的短路保護(hù)。對(duì)于過(guò)載保護(hù)不必快速反應(yīng),可采用集中式保護(hù)。私人模塊哪家好
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