加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越***的應用，在較高頻率的大、**率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調整軟起動器。推廣模塊性價比

優(yōu)勢：?簡單的串聯(lián)方式?很強的抗浪涌電流能力?標準封裝，易于安裝英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍，樹立了行業(yè)應用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應用范圍包括服務器堆場、太陽能發(fā)電廠和儲能系統(tǒng)等；同時適用于工業(yè)和汽車級應用。福建家居模塊外加正向電壓較小時，二極管呈現(xiàn)的電阻較大，正向電流幾乎為零。

    以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時（柵極處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。4保管時的注意事項一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

    但是各路之間在電路上必須相互隔離，以防干擾或誤觸發(fā)四路驅動信號根據(jù)觸發(fā)相位分為兩組，相位相反。圖3為一路柵極驅動電路，整流橋B1、B2與電解電容C1、C2組成整流濾波電路，為驅動電路提供+25V和-15V直流驅動電壓。光耦6N137的作用是實現(xiàn)控制電路與主電路之間的隔離，傳遞PWM信號。電阻R1與穩(wěn)壓管VS1組成PWM取樣信號，電阻R2限制光耦輸入電流。電阻R3、R4與穩(wěn)壓管VS3、VS4分別組成，分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅動電平。Q3在光耦控制下，工作在開關狀態(tài)。MOSFET管Q1、Q2組成推挽放大電路，將放大后的輸出信號輸入到IGBT門極，提供門極的驅動信號。當輸入控制信號，光耦U導通，Q3截止，Q2導通輸出+15V驅動電壓。當控制信號為零時，光耦U截止，Q3、Q1導通，輸出-15V電壓，在IGBT關斷時時給門極提供負的偏置，提高lGBT的抗干擾能力。穩(wěn)壓管VS3～VS6分別對Q2、Q1輸入驅動電壓限幅在-10V和+15V，防止Q1、Q2進入深度飽和，影響MOS管的響應速度。電阻R6、R7與電容C0為Q1、Q2組成偏置網(wǎng)絡。其中的電容C0是為了在開通時，加速Q2管的漏極電流上升速度，為柵極提供過沖電流，加速柵極導通。圖3柵極驅動電路原理IGBT柵極耐壓一般在±20V左右。我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級。

    全橋逆變電路IGBT模塊的實用驅動電路設計作者：海飛樂技術時間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應用***，國內外許多廠家的焊機都采用此主電路結構。全橋式電路的優(yōu)點是輸出功率較大，要求功率開關管耐壓較低，便于選管。在硬開關僑式電路中，IGBT在高壓下導通，在大電流下關斷，處于強迫開關過程，功率器件IGBT能否正?？煽渴褂闷鹬陵P重要的作用。驅動電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，滿足驅動IGBT的要求。其性能直接關系到IGBT的開關速度和功耗、整機效率和可靠性。隨著開關工作頻率的提高，驅動電路的優(yōu)化設計更為重要。2.硬開關全橋式電路工作過程分析全橋式逆變主電路由功率開關管IGBT和中頻變壓器等主要元器件組成，如圖1所示快速恢復二極管VD1~VD4與lGBT1～IGBT4反向并聯(lián)、承受負載產生的反向電流以保護IGBT。IGBT1和IGBT4為一組，IGBT2和IGBT3為一組，每組IGBT同時導通與關斷，當激勵脈沖信號輪流驅動IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3時，逆變主電路把直流高壓轉換為20kHz的交流電壓送到中頻變壓器，經降壓整流濾波輸出。圖1全橋式逆變電路全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下。當外加正向電壓超過死區(qū)電壓時，PN結內電場幾乎被抵消，二極管呈現(xiàn)的電阻很小。廣西私人模塊

大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率。推廣模塊性價比

    RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產生壓降，還會造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流，從而克服了過沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關斷前C*將上次關斷電壓的過沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關斷時從電源電壓開始上升，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型效果稍差，但能量消耗較小。對緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應采用低感或無感吸收電容，它的引線應盡量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應采用快開通和快軟恢復二極管，以免產生開通過電壓，和反向恢復引起較大的振蕩過電壓。，得出了設計時應注意的幾點事項：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應的影響，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設計時應讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大的影響，所以設計時要綜合考慮；⑶應采用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達到短路保護的目的。推廣模塊性價比

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