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安徽質量西門康可控硅模塊供應

來源: 發(fā)布時間:2023-04-30

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓枘K從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。安徽質量西門康可控硅模塊供應

可控硅模塊的控制方式:    通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號,通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié),實現可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。滿足可控硅模塊工作的必要條件:    (1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。    ①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。    ②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。安徽質量西門康可控硅模塊供應體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。

    在門極G上加以正電壓或正脈沖信號,則GT0導通;當門極上信號消失后,GTO仍然保持導通狀態(tài),這與普通SCR性能完全一樣。這時如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強的反向脈沖信號,可使GTO關斷。GTO在門極加負脈沖關斷信號時,有一個反向偏置工作安全區(qū)問題。就是指一定條件下GT0能可靠關斷的陽極電流和陽極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來說,怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經標注有詳細的圖,在門極上部也清楚標注有希拉數字4、5、6、7。也就是說可控硅模塊無需極性判別。簡單的判別,可用數字萬用表的電阻擋位200Ω,測量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一對應。如不對應表示模塊內部已經出現損壞了。正常時k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個端點的電阻也應該是14Ω。如果測得陰極k與門極G電阻值等于o時,說明元件內部己經短路擊穿損壞。上面三個電流緊固電極(1~AK2)、(2~K1)、(3~A)。2、將萬用表200MΩ擋位測量,它們之間的電阻值,均為∞無窮大均為好。如果它們三點之中其中有二點有電阻值,表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨分為一只可控硅看,為安全起見,采用24V直流穩(wěn)壓電源,與一直流24V5W燈泡如下圖進行簡單的判別。

指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓(或電流)小。若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,重復上述步驟,均應是同一結果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。左手665收藏時間:2016年2月6日18:40如何鑒別可控硅的三個極關鍵字:可控硅檢測方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:第1層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。廣東好的西門康可控硅模塊供應商

采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。安徽質量西門康可控硅模塊供應

    可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷;實現將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應用??煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y構原件可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結,與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎??煽毓钁脮r,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。安徽質量西門康可控硅模塊供應

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