或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變?。环粗?，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有：共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。3、常用的肖特基二極管常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型號。也就是常說的插件封裝。面接觸型或稱面積型二極管的PN結(jié)是用合金法或擴散法做成的。福建艾賽斯IXYS二極管

    在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、肖特基二極管的作用及其接法-續(xù)流肖特基二極管并聯(lián)在線兩端,當流過線圈中的電流消失時,線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢通過二極管和線圈構(gòu)成的回路做功而消耗掉.從而保護了電路中的其它原件的安全.續(xù)流二極管在電路中反向并聯(lián)在繼電器或電感線圈的兩端,當電感線圈斷電時其兩端的電動勢并不立即消失,此時殘余電動勢通過一個肖特基二極管釋放,起這種作用的二極管叫續(xù)流二極管。電感線圈、繼電器、可控硅電路等都會用到續(xù)流二極管防止反向擊穿現(xiàn)象。凡是電路中的繼電器線圈兩端和電磁閥接口兩端都要接續(xù)流二極管。接法如上面的圖，肖特基二極管的負極接線圈的正極，肖特基二極管的正極接線圈的負極。不過，你要清楚，續(xù)流二極管并不是利用肖特基二極管的反方向耐壓特性，而是利用肖特基二極管的單方向正向?qū)ㄌ匦浴?、肖特基二極管的作用及其接法-檢波檢波（也稱解調(diào)）肖特基二極管的作用是利用其單向?qū)щ娦詫⒏哳l或中頻無線電信號中的低頻信號或音頻信號取出來，廣應(yīng)用于半導(dǎo)體收音機、收錄機、電視機及通信等設(shè)備的小信號電路中，其工作頻率較高，處理信號幅度較弱。天津貿(mào)易艾賽斯IXYS二極管銷售價格IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界半導(dǎo)體生產(chǎn)商。

    外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。

    正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時。大多數(shù)二極管是由硅制成的，但也使用了砷化鎵和鍺等其他半導(dǎo)體材料。

    導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)?。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向?qū)▔航导s為，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。二極管是雙端子電子元件，傳導(dǎo)電流主要在一個方向（非對稱電導(dǎo)）。天津貿(mào)易艾賽斯IXYS二極管銷售價格

與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。福建艾賽斯IXYS二極管

    肖特基二極管(SBD)是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD)的簡稱，是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的半導(dǎo)體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，它不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。新聞網(wǎng)頁微信知乎圖片視頻明醫(yī)英文問問百科更多>>登錄幫助首頁精彩百科知識圖譜城市百科抗戰(zhàn)百科高校百科任務(wù)任務(wù)中心用戶蜜蜂團領(lǐng)域小組熱詞團公益百科積分商城個人中心添加義項同義詞收藏分享分享到QQ空間新浪微博人人網(wǎng)肖特基二極管編輯詞條肖特基二極管（SBD）是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱，是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的半導(dǎo)體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，它不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。福建艾賽斯IXYS二極管

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