IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng)PWM波輸出的時候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅(qū)動電機(jī)的，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時，會產(chǎn)生反電動勢，這個電動勢加在IGBT上面，對IGBT會有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個續(xù)流二極管，電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢？如下圖，負(fù)載上換成了一個電感L。當(dāng)1/4開通時，電感上會有電流流過。然后PWM波控制1/4關(guān)斷，這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中，電感的特性，電流不能突然中斷，所以電感中此時還有電流流過，同時因為電路上電流中斷了，導(dǎo)致它會產(chǎn)生一個反電動勢，這個反電動勢將通過3的續(xù)流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等，主要用于逆變器和整流器中。貴州國產(chǎn)模塊

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）l輸出電流10A；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃；l保護(hù)有過壓、過流、短路保護(hù)功能。2）直流電容器分為支撐電容、儲能電容，分別用于補(bǔ)償充電和實驗時的大電流放電，滿足動態(tài)測試、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測試需求。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動態(tài)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機(jī)控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區(qū)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH、10mH、50mH、100mHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機(jī)控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。5）補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A。上海模塊現(xiàn)貨IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。

2、熱限制熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標(biāo)，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個壽命才長。3、封裝要求封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面，在結(jié)構(gòu)上面，其實也會和封裝相關(guān)，因為設(shè)計的時候會布局和結(jié)構(gòu)的問題，不同的設(shè)計它的差異性很大。4、可靠性要求可靠性問題，剛才說到結(jié)溫波動，其中**擔(dān)心就是結(jié)溫波動以后，會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接，時間久了，這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異，所以在結(jié)溫波動情況下，長時間下來，如果工藝不好的話，就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂，這樣就會影響保護(hù)壓降，進(jìn)一步導(dǎo)致ICBT失效。第二個就是熱循環(huán)，主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個材料之間，他們之間的差異性。如果失效了以后，就分層了，材料與材料之間特性不一樣，就變成這樣情況的東西，這個失效很明顯。

    1～1200AVge柵極電壓-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg柵極電荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on)、td(off)開通/關(guān)斷延遲10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降時間10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff開通/關(guān)斷能量1～5000mJ1～50mJ±2%±；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；表格5二極管反向恢復(fù)測試主要參數(shù)測試范圍精度要求測試條件Vcc二極管電壓50～1500V200～500V±3%±1V；500～1500V±2%±2V；200～1500VIRM反向恢復(fù)電流50～1200A50～200A±3%±1A；50～1200AQrr反向關(guān)斷電荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC；5000～20000μC±2%±10μC；1～20000μCtrr反向恢復(fù)時間20～2000ns20~100±3%±1ns；100~500±3%±2ns；500~2000±2%±5ns；20～2000nsErec反向關(guān)斷能量損失1～5000mJ1～50mJ±3%±；50～200mJ±3%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路測試主要參數(shù)測試范圍精度要求測試條件Vce集射極電壓150～1500V150～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主。

c、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。  d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時進(jìn)行安裝。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊接時，溫度260±5℃.時間（10±1）秒，松香焊劑。波峰焊接時，PCB板要預(yù)熱80℃-105℃,在245℃時浸入焊接3-4IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降**造成本，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進(jìn)展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列每一系列的主電源電壓范圍各有不同。天津國產(chǎn)模塊量大從優(yōu)

光控晶閘具有良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力。貴州國產(chǎn)模塊

    IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區(qū)別是什么？作者：海飛樂技術(shù)時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術(shù)集成驅(qū)動、保護(hù)電路和高能芯片一起的模塊，已經(jīng)從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）；IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅(qū)動及保護(hù)功能（熱保護(hù)，過流保護(hù)等）的IGBT模塊。IGBT單管和IGBT功率模塊的結(jié)構(gòu)不同IGBT單管為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用。貴州國產(chǎn)模塊

江蘇芯鉆時代，2022-03-29正式啟動，成立了IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等幾大市場布局，應(yīng)對行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼的市場競爭力，把握市場機(jī)遇，推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。江蘇芯鉆時代經(jīng)營業(yè)績遍布國內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū)，業(yè)務(wù)布局涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等板塊。同時，企業(yè)針對用戶，在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國更多單位和企業(yè)提供更具針對性的電子元器件服務(wù)。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動和電動工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）等多個環(huán)節(jié)，在國內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢。在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等領(lǐng)域完成了眾多可靠項目。