從結構上講，IGBT主要有三個發(fā)展方向：1）IGBT縱向結構：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型；2）IGBT柵極結構：平面柵機構、Trench溝槽型結構；3）硅片加工工藝：外延生長技術、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關)+開關損耗(EoffEon)。同一代技術中通態(tài)損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。英飛凌、 三菱、 ABB在1700V以上電壓等級的工業(yè)IGBT領域占優(yōu)勢。黑龍江模塊代理價格

背景技術：電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件，如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術中存在的不足。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；哪些是模塊廠家供應雙向晶閘可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。

背景技術：目前，國外標準型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的igbt模塊直接應用于變頻器、ups不間斷電源等設備上；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上越來越多見。然而，這種igbt模塊的成本較高，嚴重制約了國內(nèi)變流技術領域的發(fā)展。為了解決國外標準型igbt模塊成本較高的問題，目前國內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國外相同技術參數(shù)規(guī)格下的標準型igbt模塊相比，成本要低15％～20％，進而能夠促進國內(nèi)變流技術領域的發(fā)展；但是，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上，這就降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。

1）新能源汽車IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的**技術部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面：A）電動控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動汽車電機；B）車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用；2）智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發(fā)電端來看，風力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。4、從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點。

晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時，就需要將晶閘管模塊進行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當晶閘管模塊額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，采用電阻均壓，Rp的阻值應比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。當晶閘管模塊動態(tài)不均壓，由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓，這時我們要選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓，采用門極強脈沖觸發(fā)可以明顯減小器件開通時間的差異。和晶閘管模塊串聯(lián)不同的是，晶閘管模塊并聯(lián)會使多個器件并聯(lián)來承擔較大的電流，會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻，這時我們要挑選特性參數(shù)盡量一致的器件，采用均流電抗器，用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。需要注意的是當晶閘管模塊需要同時串聯(lián)和并聯(lián)時，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。IGBT模塊輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。內(nèi)蒙古私人模塊

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。黑龍江模塊代理價格

盡管我國擁有比較大的功率半導體市場，但是目前國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等器件差距更加明顯。技術均掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中，IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。跟國內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱和富士電機等國際廠商占有的市場優(yōu)勢。形成這種局面的原因主要是：1、國際廠商起步早，研發(fā)投入大，形成了較高的壁壘。2、國外制造業(yè)水平比國內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優(yōu)勢。中國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現(xiàn)狀。總的來說，在技術差距方面有：高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器等領域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上，技術壁壘較強；IGBT芯片設計制造、模塊封裝、失效分析、測試等IGBT產(chǎn)業(yè)**技術仍掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中。近幾年中國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策推動及市場牽引下得到迅速發(fā)展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈，IGBT國產(chǎn)化的進程加快，有望擺脫進口依賴。受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施，I希望國產(chǎn)IGBT企業(yè)能從中崛起。黑龍江模塊代理價格

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