EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途:自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查。因此,經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG鍵合機選擇上海岱美儀器。三維芯片鍵合機質(zhì)保期多久
一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應用設備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機和鍵合機。 圖像傳感器鍵合機現(xiàn)場服務根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。
引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中,這是因為其成本效率高且易于應用。在ZUI佳環(huán)境中,每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。當銅用于球焊時,氮氣以氣態(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征:多達八個預處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴大生產(chǎn)量。 以上應用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長。解鍵合鍵合機微流控應用
EVG501晶圓鍵合機系統(tǒng):真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。三維芯片鍵合機質(zhì)保期多久
鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,以執(zhí)行隨后的鍵合過程??梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機特征■基底高達200mm■壓力高達100kN■溫度高達550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選:陽極,UV固化,650℃加熱器EVG鍵合機加工服務EVG設備的晶圓加工服務包含如下:■等離子活化直接鍵合■ComBond®-硅和化合物半導體的導電鍵合■高真空對準鍵合■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 三維芯片鍵合機質(zhì)保期多久