共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。 EVG鍵合機(jī)選擇上海岱美儀器。EVG850 DB鍵合機(jī)代理價(jià)格

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對(duì)面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。3D IC鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎EVG下的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過(guò)程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過(guò)附加的機(jī)械支撐來(lái)處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到充分體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來(lái)一直由該公司提供。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。 

EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動(dòng)化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個(gè)清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來(lái)清洗晶片。EVG301具有手動(dòng)加載和預(yù)對(duì)準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對(duì)準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝，這對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。

一旦將晶片粘合在一起，就必須測(cè)試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過(guò)程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測(cè)試方法使用。破壞性測(cè)試方法用于測(cè)試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評(píng)估粘合過(guò)程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒(méi)有缺陷。EVGroup（EVG）是制造半導(dǎo)體，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），化合物半導(dǎo)體，功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的lingxian供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合，薄晶圓加工，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計(jì)量設(shè)備，以及光刻膠涂布機(jī)，清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EVGroup服務(wù)于復(fù)雜的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，并為其提供支持。有關(guān)EVG的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)"鍵合機(jī)"。 EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。3D IC鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎

我們?cè)诓恍柚匦屡渲糜布那闆r下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。EVG850 DB鍵合機(jī)代理價(jià)格

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 EVG850 DB鍵合機(jī)代理價(jià)格