在計(jì)量校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室中，高精度的電子天平用于精確稱量微小質(zhì)量差異，對環(huán)境溫濕度要求極高。若溫度突然升高 2℃，天平內(nèi)部的金屬部件受熱膨脹，傳感器的靈敏度隨之改變，原本能測量到微克級別的質(zhì)量變化，此時(shí)卻出現(xiàn)讀數(shù)偏差，導(dǎo)致測量結(jié)果失準(zhǔn)。濕度方面，當(dāng)濕度上升至 70% 以上，空氣中的水汽容易吸附在天平的稱量盤及內(nèi)部精密機(jī)械結(jié)構(gòu)上，增加了額外的重量，使得測量數(shù)據(jù)偏大，無法反映被測量物體的真實(shí)質(zhì)量，進(jìn)而影響科研實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的可靠性以及工業(yè)生產(chǎn)中原材料配比度。半導(dǎo)體芯片制造環(huán)節(jié)，憑借其超高潔凈度及極為微小的溫濕度波動，有效減少芯片瑕疵，提升產(chǎn)品良品率。四川0.1℃環(huán)境

超精密激光外徑測量儀，在精密制造領(lǐng)域里，是線纜、管材等產(chǎn)品外徑測量環(huán)節(jié)中不可或缺的存在。其測量精度直接關(guān)乎產(chǎn)品質(zhì)量。然而，環(huán)境因素對它的干擾不容小覷。一旦溫度產(chǎn)生波動，儀器的光學(xué)系統(tǒng)便會因熱脹冷縮發(fā)生熱變形，致使原本激光聚焦出現(xiàn)偏差，光斑尺寸也隨之改變，如此一來，根本無法精確測量產(chǎn)品外徑。像在高精度線纜生產(chǎn)中，哪怕只是極其微小的溫度變化，都可能致使產(chǎn)品外徑公差超出標(biāo)準(zhǔn)范圍。而在高濕度環(huán)境下，水汽對激光的散射作用大幅增強(qiáng)，返回的激光信號強(qiáng)度減弱，噪聲卻不斷增大，測量系統(tǒng)難以準(zhǔn)確識別產(chǎn)品邊界，造成測量數(shù)據(jù)的重復(fù)性和準(zhǔn)確性都嚴(yán)重變差 。四川0.1℃環(huán)境針對設(shè)備運(yùn)維，系統(tǒng)實(shí)時(shí)同步記錄運(yùn)行、故障狀態(tài)，快速查詢回溯，準(zhǔn)確定位問題根源。

電池芯片制造工藝的復(fù)雜性與精細(xì)度與日俱增，對生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度和濕度控制提出了極其嚴(yán)苛的要求。濕度一旦超出允許范圍，哪怕有細(xì)微波動，都極有可能致使電池芯片內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)發(fā)生短路現(xiàn)象，或者嚴(yán)重影響芯片的整體性能，大幅降低其充放電效率與使用壽命。精密環(huán)控柜憑借其技術(shù)實(shí)力，實(shí)現(xiàn)了對濕度的調(diào)控，將濕度穩(wěn)定性牢牢控制在極小的區(qū)間內(nèi)。同時(shí)，其配備的空氣過濾系統(tǒng)，能夠高效攔截空氣中的各類塵埃、顆粒及微生物，確保生產(chǎn)環(huán)境達(dá)到超高潔凈度標(biāo)準(zhǔn)。針對新能源電子領(lǐng)域千變?nèi)f化的特殊生產(chǎn)工藝需求，精密環(huán)控柜還能提供定制化服務(wù)，從內(nèi)部布局到各項(xiàng)環(huán)境參數(shù)的設(shè)定，都能滿足該領(lǐng)域獨(dú)特的環(huán)境要求。

在化學(xué)、材料、制藥、微生物、細(xì)胞等實(shí)驗(yàn)室科研中，精密環(huán)控柜為各類實(shí)驗(yàn)提供了穩(wěn)定的環(huán)境條件，是科研工作順利開展的重要支撐。在化學(xué)實(shí)驗(yàn)中，一些化學(xué)反應(yīng)對溫度極為敏感，0.1℃的溫度偏差都可能改變反應(yīng)速率和產(chǎn)物純度。精密環(huán)控柜的高精密溫度控制，確保實(shí)驗(yàn)溫度穩(wěn)定，為化學(xué)反應(yīng)提供理想條件，保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。材料研究中，材料的性能測試需要嚴(yán)格控制環(huán)境溫濕度。例如，對新型半導(dǎo)體材料的性能檢測，環(huán)境濕度的變化可能影響材料的電學(xué)性能。精密環(huán)控柜的溫濕度控制，為材料性能測試提供穩(wěn)定環(huán)境，助力科研人員準(zhǔn)確評估材料性能�？蓪�(shí)現(xiàn)潔凈度百級、十級，溫度波動值±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.005℃、±0.002℃等精密環(huán)境控制。

精密環(huán)控柜主要由設(shè)備主柜體、控制系統(tǒng)、氣流循環(huán)系統(tǒng)、潔凈過濾器、制冷(熱)系統(tǒng)、照明系統(tǒng)、局部氣浴等組成，為光刻機(jī)、激光干涉儀等精密測量、精密制造設(shè)備提供超高精度溫濕度、潔凈度的工作環(huán)境。該設(shè)備內(nèi)部通過風(fēng)機(jī)引導(dǎo)氣流以一定的方向循環(huán)，控制系統(tǒng)對循環(huán)氣流的每個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行處理，從而使柜內(nèi)的溫濕度達(dá)到超高的控制精度。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)潔凈度百級、十級、一級，溫度波動值±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.002℃等精密環(huán)境控制。自面世以來，已為相關(guān)領(lǐng)域客戶提供了穩(wěn)定的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境以及監(jiān)測服務(wù)，獲得了眾多好評。制冷單元內(nèi)部采用高效隔音材質(zhì)，進(jìn)一步降低設(shè)備噪音，噪音<45dB。四川0.1℃環(huán)境

在芯片、半導(dǎo)體、精密加工、精密測量等領(lǐng)域，利用其精密溫濕度控制，保證生產(chǎn)環(huán)境的穩(wěn)定。四川0.1℃環(huán)境

刻蝕的目的在于去除硅片上不需要的材料，從而雕琢出精細(xì)的電路結(jié)構(gòu)。在這一精細(xì)操作過程中，溫度的波動都會如同“蝴蝶效應(yīng)”般，干擾刻蝕速率的均勻性。當(dāng)溫度不穩(wěn)定時(shí)，硅片不同部位在相同時(shí)間內(nèi)所經(jīng)歷的刻蝕程度將參差不齊，有的地方刻蝕過度，有的地方刻蝕不足，直接破壞芯片的電路完整性，嚴(yán)重影響芯片性能。濕度方面，一旦出現(xiàn)不穩(wěn)定狀況，刻蝕環(huán)境中的水汽會與刻蝕氣體發(fā)生復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)，生成一些難以預(yù)料的雜質(zhì)。這些雜質(zhì)可能會附著在芯片表面，或是嵌入剛剛刻蝕形成的微觀電路結(jié)構(gòu)中，給芯片質(zhì)量埋下深深的隱患，后續(xù)即便經(jīng)過多道清洗工序，也難以徹底根除這些隱患帶來的負(fù)面影響。四川0.1℃環(huán)境