在 3D 打印行業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，溫濕度成為左右打印質(zhì)量的關(guān)鍵因素。在打印過程中，一旦環(huán)境溫度出現(xiàn)較大幅度的波動，用于成型的光敏樹脂或熱熔性材料便會受到直接沖擊。材料的固化速率、流動性不再穩(wěn)定，這會直接反映在打印模型上，導(dǎo)致模型出現(xiàn)層紋，嚴重時發(fā)生變形，甚至產(chǎn)生開裂等嚴重缺陷。而當(dāng)濕度偏高，材料極易吸濕。在打印過程中，這些吸收的水分轉(zhuǎn)化為氣泡，悄然隱匿于模型內(nèi)部或浮現(xiàn)于表面，極大地破壞模型的結(jié)構(gòu)完整性，使其表面質(zhì)量大打折扣，影響 3D 打印產(chǎn)品在工業(yè)設(shè)計、醫(yī)療模型等諸多領(lǐng)域的實際應(yīng)用。系統(tǒng)詳細記錄運行信息，無論是日常運行還是突發(fā)故障，查詢檢索都能準確定位所需。浙江環(huán)境試驗箱
在芯片這一高科技產(chǎn)品的復(fù)雜生產(chǎn)流程里，眾多環(huán)節(jié)對溫濕度的波動展現(xiàn)出了近乎苛刻的精密度要求。光刻過程中，利用高精度的光刻設(shè)備，將預(yù)先設(shè)計好的復(fù)雜電路圖案轉(zhuǎn)移至硅片表面。溫度的穩(wěn)定性起著決定性作用，哪怕有零點幾攝氏度的微小波動，都會使光刻膠內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)速率產(chǎn)生偏差。光刻膠作為一種對光敏感的高分子材料，其反應(yīng)速率的改變將直接作用于光刻成像效果，致使圖案邊緣模糊、線條粗細不均，進而讓芯片上的線路出現(xiàn)偏差，甚至引發(fā)短路故障，讓前期投入的大量人力、物力和時間付諸東流。與此同時，濕度因素同樣不可小覷。光刻車間若濕度偏高，水汽極易滲透至光刻膠內(nèi)部，使其含水量上升，感光度隨之降低，如同給精密的 “光刻鏡頭” 蒙上一層霧靄，嚴重影響光刻精度，導(dǎo)致芯片良品率大打折扣，大幅增加生產(chǎn)成本。四川三坐標(biāo)測量儀環(huán)境精密環(huán)境控制設(shè)備依托自主研發(fā)的高精密控溫技術(shù)，實現(xiàn)了 0.1% 的超高輸出精度。
激光干涉儀用于測量微小位移，精度可達納米級別。溫度波動哪怕只有 1℃，由于儀器主體與測量目標(biāo)所處環(huán)境溫度不一致，二者熱脹冷縮程度不同，會造成測量基線的微妙變化，導(dǎo)致測量位移結(jié)果出現(xiàn)偏差，在高精度機械加工零件的尺寸檢測中，這種偏差可能使零件被誤判為不合格品，增加生產(chǎn)成本。高濕度環(huán)境下，水汽會干擾激光的傳播路徑，使激光發(fā)生散射，降低干涉條紋的對比度，影響測量人員對條紋移動的精確判斷，進而無法準確獲取位移數(shù)據(jù)，給精密制造、航空航天等領(lǐng)域的科研與生產(chǎn)帶來極大困擾。
我司自主研發(fā)的高精密控溫技術(shù)，控制輸出精度達 0.1%，能精細掌控溫度變化。溫度波動控制可選 ±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.005℃、±0.002℃等多檔，滿足嚴苛溫度需求。該系統(tǒng)潔凈度表現(xiàn)優(yōu)異，可達百級、十級、一級。關(guān)鍵區(qū)域靜態(tài)溫度穩(wěn)定性 ±5mK，內(nèi)部溫度均勻性小于 16mK/m，為芯片研發(fā)等敏感項目營造理想溫場，保障實驗數(shù)據(jù)不受溫度干擾。濕度方面，8 小時內(nèi)穩(wěn)定性可達 ±0.5%；壓力穩(wěn)定性為 +/-3Pa，設(shè)備還能連續(xù)穩(wěn)定工作 144 小時，助力長時間實驗與制造。在潔凈度上，工作區(qū)潔凈度優(yōu)于 ISO class3，既確保實驗結(jié)果準確可靠，又保障精密儀器正常工作與使用壽命，推動科研與生產(chǎn)進步。采用節(jié)能技術(shù)，在保障高性能的同時降低能耗，為企業(yè)節(jié)省運營成本。
在集成電路制造這一高精密的領(lǐng)域中，芯片生產(chǎn)線上的光刻工序堪稱關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，其對溫濕度的要求近乎達到苛刻的程度。即便是極其微小的 1℃溫度波動，都可能引發(fā)嚴重后果。光刻機內(nèi)部的光學(xué)鏡片會因熱脹冷縮，致使光路發(fā)生細微偏移。這看似毫厘之差，卻足以讓光刻圖案精度嚴重受損，使得芯片上的電路布線出現(xiàn)偏差，甚至短路等問題，進而大幅拉低芯片的良品率。而在濕度方面，一旦濕度突破 50% 的警戒線，光刻膠便極易受潮，其感光度發(fā)生改變，導(dǎo)致曝光效果大打折扣，無疑同樣對芯片質(zhì)量產(chǎn)生不可忽視的負面影響。精密環(huán)境控制設(shè)備內(nèi)部壓力波動極小，穩(wěn)定在 +/-3Pa。四川三坐標(biāo)測量儀環(huán)境
在生物制藥研發(fā)中，該設(shè)備能準確調(diào)控環(huán)境，助力藥物成分穩(wěn)定，保障實驗結(jié)果可靠。浙江環(huán)境試驗箱
芯片蝕刻時，刻蝕速率的均勻性對芯片電路完整性至關(guān)重要。溫度波動如同 “蝴蝶效應(yīng)”，可能引發(fā)刻蝕過度或不足。精密環(huán)控柜穩(wěn)定的溫度控制，以及可達 ±0.5%@8h 的濕度穩(wěn)定性，有效避免因環(huán)境因素導(dǎo)致的刻蝕異常，保障芯片蝕刻質(zhì)量。芯片沉積與封裝過程中，精密環(huán)控柜的超高水準潔凈度控制發(fā)揮關(guān)鍵作用。其可實現(xiàn)百級以上潔凈度控制，內(nèi)部潔凈度優(yōu)于 ISO class3，杜絕塵埃顆粒污染芯片，防止水汽對芯片材料的不良影響，確保芯片沉積層均勻、芯片封裝可靠。浙江環(huán)境試驗箱
